產(chǎn)品目錄 PRODUCT
- IGBT模塊
- 英飛凌IGBT模塊
- 英飛凌整流橋
- 英飛凌二極管
- 英飛凌可控硅
- 英飛凌模塊
- ABB模塊
- ABB可控硅
- ABB變頻器維修配件
- 西門康模塊
- 西門康IGBT模塊
- 西門康IGBT智能模塊
- 西門康大功率模塊
- 西門康二極管
- 西門康整流橋
- 西門康可控硅模塊
- 西門子IGBT模塊
- 西門子可控硅
- 西門子變頻器配件
- 三菱IGBT模塊
- 三菱整流橋
- 三菱GTR模塊（達(dá)林頓）
- 三菱IPM智能模塊
- 三菱IGBT快恢復(fù)二極管模塊
- 三菱IGBT可控硅模塊
- 三菱PIM整流逆變集成
- EUPEC IGBT
- EUPCE模塊
- EUPEC平板可控硅
- EUPEC可控硅
- EUPEC 二極管
- EUPEC整流橋
- IXYS 整流橋
- IXYS可控硅
- IXYS二極管
- 富士IGBT
- 富士整流橋
- 富士IGBT可控硅
- 富士變頻器維修配件
- 富士IPM智能模塊
- 富士IGBT二極管模塊
- 富士GTR模塊（達(dá)林頓）
- 東芝IGBT
- 東芝可控硅模塊
- 東芝智能型IGBT
- 東芝GTR模塊（達(dá)林頓）
- 東芝復(fù)合模塊PIM
- 東芝二極管模塊
- 瑞士驅(qū)動(dòng)模塊
- 二極管
- 三社二極管
- 三社達(dá)林頓模塊
- 三社可控硅模塊
- 三社整流橋
- 西班牙廠家整流橋
- 三墾IGBT模塊
- 三墾GTR模塊（達(dá)林頓）
- 三墾智能型IPM
- IR IGBT模塊
- 西瑪可控硅
- 羅蘭快速熔斷器
- 富士熔斷器
- 美國BUSSMAN快熔
- 電解電容 高頻無感電容
- 光耦
- 場效應(yīng)模塊
- IR可控硅
新聞詳情
西門康IGBT模塊：電力電子領(lǐng)域的核心組件
日期：2025-04-24 21:06
瀏覽次數(shù)：24
摘要：西門康IGBT模塊：電力電子領(lǐng)域的核心組件
IGBT模塊技術(shù)概述
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，結(jié)合了MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降優(yōu)點(diǎn)。西門康IGBT模塊采用先進(jìn)的三代、四代甚至五代IGBT芯片技術(shù)，具有以下顯著特點(diǎn)：
低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，提高系統(tǒng)效率
高功率密度設(shè)計(jì)，減小設(shè)備體積
優(yōu)異的溫度穩(wěn)定性和可靠性
集成度高，內(nèi)置NTC溫度傳感器
優(yōu)化的內(nèi)部布局降低寄生電感
西門康IGB...
西門康IGBT模塊：電力電子領(lǐng)域的核心組件
IGBT模塊技術(shù)概述
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，結(jié)合了MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降優(yōu)點(diǎn)。西門康IGBT模塊采用先進(jìn)的三代、四代甚至五代IGBT芯片技術(shù)，具有以下顯著特點(diǎn)：
低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，提高系統(tǒng)效率
高功率密度設(shè)計(jì)，減小設(shè)備體積
優(yōu)異的溫度穩(wěn)定性和可靠性
集成度高，內(nèi)置NTC溫度傳感器
優(yōu)化的內(nèi)部布局降低寄生電感
西門康IGBT模塊使用注意事項(xiàng)
安裝與散熱：
確保散熱表面平整清潔
使用合適的導(dǎo)熱硅脂
按照推薦扭矩緊固安裝螺釘
電氣連接：
主端子連接采用低電感設(shè)計(jì)
門極驅(qū)動(dòng)線路盡量短且對稱
使用推薦的門極電阻值
保護(hù)措施：
實(shí)施過流、過壓、過熱保護(hù)
避免靜態(tài)和動(dòng)態(tài)擎住效應(yīng)
注意dv/dt和di/dt限制
